NPN epitaxial type silicon transistor The 2SD2403 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Renesas Electronics. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: TO-252 (DPAK)
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at IC = 1A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (min)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching applications.

These specifications are based on Renesas' datasheet for the 2SD2403 transistor.

NPN epitaxial type silicon transistor The 2SD2403 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the typical characteristics of the 2SD2403 transistor as provided by NEC.