NPN epitaxial type silicon transistor The 2SD2402 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. It is designed for use in high-speed switching applications and features the following specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W (at 25°C)
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 120MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.3V (max) (at IC = 1A, IB = 0.1A)
- **Base-Emitter Saturation Voltage (VBE(sat)):** 1.2V (max) (at IC = 1A, IB = 0.1A)
- **Package:** TO-92

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SD2402 transistor.