Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor) Power Amplifier Applications The part 2SD2387 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor
2. **Applications**: Designed for use in general-purpose amplification and switching applications.
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
6. **Collector Current (IC)**: 1.5A
7. **Collector Dissipation (PC)**: 1W
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
9. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
10. **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
11. **Transition Frequency (fT)**: 150MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
12. **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the TOS datasheet for the 2SD2387 transistor.