Silicon NPN Darlington Power Transistors TO-3P(I) package The part number 2SD2386 is a transistor manufactured by Toshiba. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, typically used for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 0.9W
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is available in a TO-92 package. These specifications are based on typical values and may vary slightly depending on the specific application and operating conditions.

Silicon NPN Darlington Power Transistors TO-3P(I) package The part 2SD2386 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 120V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 120V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1.5A
- Collector Dissipation (PC): 1W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to 150°C
- DC Current Gain (hFE): 60 to 320
- Transition Frequency (fT): 120MHz

The transistor is available in a TO-92MOD package.