NPN high-volt lightning absorption transistor 20mA/300V The part 2SD2383 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications are as follows:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 160V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1.5A  
- **Collector Dissipation (PC):** 20W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 100MHz)  

The transistor is packaged in a TO-220AB package. These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SD2383 transistor.