Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) The part 2SD2359 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Its specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 160V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz

The transistor is typically used in general-purpose amplification and switching applications.