TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SD2353 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220F

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SD2353 transistor.