TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS The part 2SD2352 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications as per the manufacturer's datasheet:

1. **Type**: Silicon NPN epitaxial planar transistor.
2. **Applications**: Designed for use in general-purpose amplification and switching applications.
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V.
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V.
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V.
6. **Collector Current (IC)**: 2A.
7. **Collector Dissipation (PC)**: 1W.
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C.
9. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C.
10. **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at VCE = 5V, IC = 0.5A).
11. **Transition Frequency (fT)**: 150MHz (typical).
12. **Package**: TO-92MOD.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions outlined therein.