NPN 150mA 50V Muting Transistors The part 2SD2351T106V is a transistor manufactured by ROHM. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 2A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = 6V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (typical)
- **Package:** TO-252 (DPAK)

These specifications are typical for the 2SD2351T106V transistor and are subject to the operating conditions and environment.