NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) The 2SD235 is a silicon NPN transistor manufactured by Toshiba. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is packaged in a TO-92 package.