TRANSISTORS(SELECTION GUIDE BY APPLICATIONS AND FUNCTIONS) The part number 2SD2333 is a silicon NPN epitaxial planar transistor. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD2333 transistor and are used in various electronic applications requiring medium power amplification or switching.

TRANSISTORS(SELECTION GUIDE BY APPLICATIONS AND FUNCTIONS) The part 2SD2333 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental conditions.