Power Bipolar Transistors The part 2SD2298 is a transistor manufactured by Hitachi. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, commonly used in power amplification and switching applications. The key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 160V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 160V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1.5A
- Collector Dissipation (PC): 20W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to 150°C
- DC Current Gain (hFE): 60 to 320
- Transition Frequency (fT): 20MHz

These specifications are typical for the 2SD2298 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.