Silicon NPN Power Transistors The part 2SD2296 is a transistor manufactured by Hitachi (日立). It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, commonly used in power amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 10W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD2296 transistor, and actual performance may vary based on operating conditions.