Medium Power Amplifiers and Switches The 2SD227 is a silicon NPN transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Power Dissipation (Pc)**: 20W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD227 transistor as provided by KEC.

Medium Power Amplifiers and Switches The 2SD227 is a silicon NPN transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C

The transistor is typically packaged in a TO-92 package.