Small-signal device The 2SD2258 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE=5V, IC=0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (at VCE=10V, IC=0.5A, f=100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions unless otherwise noted.