TO-220 Plastic-Encapsulate Biploar Transistors The part 2SD2257 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Its key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 160V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220F (isolated type)

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.

TO-220 Plastic-Encapsulate Biploar Transistors The part 2SD2257 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications and features a high current capability. The key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 150V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 150V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 3A
- Collector Dissipation (PC): 25W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to 150°C
- DC Current Gain (hFE): 60 to 320
- Transition Frequency (fT): 80MHz

The transistor is packaged in a TO-220F package, which is suitable for surface mounting. It is commonly used in power amplification and switching circuits.