SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER The part 2SD2253 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: Silicon NPN epitaxial planar transistor.
2. **Applications**: Designed for use in high-speed switching and amplification circuits.
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V.
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V.
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V.
6. **Collector Current (IC)**: 1.5A.
7. **Collector Dissipation (PC)**: 20W.
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C.
9. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C.
10. **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = 5V, IC = 0.5A).
11. **Transition Frequency (fT)**: 30MHz (typical).
12. **Package**: TO-220.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions outlined in the document.

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER The 2SD2253 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz (min)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions and typical values provided by Toshiba.