Silicon NPN Power Transistors TO-220F package The part 2SD2241 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Its key specifications include:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 30MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD2241 transistor as provided by TOSHIBA.

Silicon NPN Power Transistors TO-220F package The part 2SD2241 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 160V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD2241 transistor.