NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The part 2SD2217 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 160V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (P_C)**: 20W
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C
- **Storage Temperature (T_stg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60 to 320 (at V_CE = 5V, I_C = 0.5A)
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz (at V_CE = 10V, I_C = 0.5A, f = 100MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SD2217 transistor.