High breakdown voltage Low collector output capacitance High transition frequency The 2SD2211 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 160V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 2A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Ic = 0.5A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (ft)**: 30MHz (at Ic = 0.5A, Vce = 5V)
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SD2211 transistor as provided by ROHM.