Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor) Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications The 2SD2206 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220F (isolated type)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 30MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 1MHz)

This transistor is commonly used in general-purpose amplification and switching applications.