NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 80V/7A Switching Applications The 2SD2201 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (at Ic = 0.5A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (ft)**: 30MHz (at Ic = 0.5A, Vce = 10V)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD2201 transistor as provided by SANYO.