Built-in zener diode between collector and base. Zener diode has low voltage dispersion. The part 2SD2167 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = 2V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (at VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 100MHz)
- **Package:** TO-126

These specifications are typical for the 2SD2167 transistor as provided by ROHM.