Silicon power transistor The part 2SD2161 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications for the 2SD2161 transistor are as follows:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at Ic = 0.5A, Vce = 2V)
- **Transition Frequency (ft):** 120MHz (at Ic = 0.5A, Vce = 10V)
- **Package:** TO-92

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental conditions.