Silicon NPN Power Transistors TO-3PL package The part 2SD2155 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: Silicon NPN epitaxial planar transistor.
2. **Applications**: Designed for use in general-purpose amplification and switching applications.
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V.
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V.
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V.
6. **Collector Current (IC)**: 1.5A.
7. **Collector Dissipation (PC)**: 1W.
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C.
9. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C.
10. **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = 5V, IC = 0.5A).
11. **Transition Frequency (fT)**: 80MHz (at VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 1MHz).
12. **Package**: TO-92MOD.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions specified therein.

Silicon NPN Power Transistors TO-3PL package The 2SD2155 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 15A
- **Collector Dissipation (PC)**: 100W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 1A, VCE = 10V)
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SD2155 transistor and are subject to variation based on operating conditions.