IC Phoenix logo

Home ›  2  › 223 > 2SD2150 T100R

2SD2150 T100R from RHOM

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

2SD2150 T100R

Manufacturer: RHOM

Low Frequency Transistor (20V, 3A)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SD2150 T100R,2SD2150T100R RHOM 950 In Stock

Description and Introduction

Low Frequency Transistor (20V, 3A) The **2SD2150 T100R** is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for power amplification and switching applications. Known for its robust construction and reliable operation, this component is commonly used in industrial, automotive, and consumer electronics where efficient power handling is essential.  

With a collector-emitter voltage (VCE) rating of **100V** and a collector current (IC) of **15A**, the 2SD2150 T100R is capable of managing moderate to high power loads. Its low saturation voltage ensures minimal energy loss, making it suitable for energy-efficient designs. Additionally, the transistor features a high current gain (hFE), which enhances signal amplification in circuits.  

The **T100R** variant indicates specific packaging and thermal characteristics, ensuring effective heat dissipation under continuous operation. This makes the component ideal for applications such as motor drivers, power supplies, and audio amplifiers.  

Engineers and designers favor the 2SD2150 T100R for its durability, consistent performance, and compatibility with standard circuit configurations. When integrated with proper heat management, this transistor delivers long-term stability, making it a dependable choice for demanding electronic systems.  

For optimal performance, always refer to the manufacturer's datasheet to ensure correct biasing and thermal considerations in your design.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SD2150 T100R,2SD2150T100R ROHM 3000 In Stock

Description and Introduction

Low Frequency Transistor (20V, 3A) The 2SD2150 T100R is a transistor manufactured by ROHM. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = 6V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (typical)
- **Package:** TO-220F (fully molded)

These specifications are typical for the 2SD2150 T100R transistor as provided by ROHM.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips