High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) The part 2SD2144S is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Its key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE=5V, IC=0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (min)
- **Package:** TO-126MOD

These specifications are based on ROHM's datasheet for the 2SD2144S transistor.