High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) The part 2SD2144S-V is manufactured by ROHM. It is a silicon NPN epitaxial planar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE=6V, IC=0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (min)
- **Package:** TO-126MOD

These specifications are typical for general-purpose transistors and are subject to standard operating conditions.