Power Device The part 2SD2139 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by PANASONIC. Its key specifications include:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz

This transistor is commonly used in general-purpose amplification and switching applications.

Power Device The part 2SD2139 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by PANASONIC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 160V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (ft)**: 60MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD2139 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.

Power Device The 2SD2139 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications and features a high current capability. The key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 160V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 160V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1.5A
- Total Power Dissipation (PT): 1W
- Transition Frequency (fT): 120MHz
- Operating Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to 150°C

The transistor is housed in a TO-92MOD package.