Bipolar Transistor The part 2SD1683T is a transistor manufactured by SANYO. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: Designed for use in general-purpose amplification and switching applications.
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 at IC = 0.5A, VCE = 2V
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SD1683T transistor and are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.

Bipolar Transistor The part 2SD1683T is a transistor manufactured by Sanyo. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, typically used in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is packaged in a TO-220F form factor.