NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 50V/2.5A High-Speed Switching Applications The 2SD1682 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Sanyo. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 3A
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1682 transistor as provided by Sanyo.

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 50V/2.5A High-Speed Switching Applications # Introduction to the 2SD1682 Electronic Component  

The **2SD1682** is a bipolar junction transistor (BJT) designed for high-power amplification and switching applications. As an NPN-type transistor, it is commonly used in circuits requiring efficient current handling and fast switching speeds. With a robust construction, the 2SD1682 is suitable for industrial, automotive, and consumer electronics where reliability under high-voltage conditions is essential.  

Key specifications of the 2SD1682 include a collector-emitter voltage (*V_CEO*) of up to 150V and a collector current (*I_C*) rating of 15A, making it well-suited for power regulation and motor control applications. Its high current gain (*h_FE*) ensures effective signal amplification, while its low saturation voltage enhances energy efficiency in switching circuits.  

The transistor is typically housed in a TO-3P package, providing excellent thermal dissipation for high-power operation. Engineers and designers often incorporate the 2SD1682 in audio amplifiers, power supplies, and DC-DC converters due to its durability and performance under demanding conditions.  

When implementing the 2SD1682, proper heat sinking and circuit protection measures should be considered to maximize longevity and stability. Its balanced characteristics make it a dependable choice for power electronics requiring both efficiency and robustness.

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 50V/2.5A High-Speed Switching Applications The 2SD1682 is a transistor manufactured by Sanyo. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, commonly used in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SD1682 transistor.