Power Transistor The part 2SD1680 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic (PANA). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 80MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental conditions.