Silicon NPN Power Transistors The part 2SD1677 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1677 transistor and are subject to standard manufacturing variations.