NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR The 2SD1672 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. It is designed for use in high-frequency amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (fT):** 120MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320
- **Package Type:** TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and are subject to standard variations in manufacturing.