NPN Silicon Epitaxial Darlington Transistor Low Speed High Current Switching Industrial Use The part 2SD1671 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. It is designed for use in high-speed switching applications and features the following specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 10W (with a derating factor of 80mW/°C above 25°C)
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.3V (max) (at IC = 1A, IB = 0.1A)
- **Base-Emitter Saturation Voltage (VBE(sat)):** 1.2V (max) (at IC = 1A, IB = 0.1A)
- **Turn-On Time (ton):** 0.1µs (max) (at IC = 0.5A, VCC = 30V, IB1 = IB2 = 0.1A)
- **Turn-Off Time (toff):** 0.3µs (max) (at IC = 0.5A, VCC = 30V, IB1 = IB2 = 0.1A)

The transistor is packaged in a TO-220AB package, which is suitable for mounting on a heatsink for thermal management. It is commonly used in power amplification and switching circuits.