NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 50V/5A Switching Applications The part 2SD1667 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz

The transistor is packaged in a TO-220F form factor.