General-Purpose Amplifier Transistors The 2SD1666 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 60V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1.5A
- Collector Dissipation (PC): 1W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to 150°C
- DC Current Gain (hFE): 120 to 400
- Transition Frequency (fT): 150MHz

The transistor is available in a TO-92MOD package.