Medium Power Transistor (32V, 1A) The part 2SD1664T100Q is a transistor manufactured by SanyoROHM. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Package:** TO-252 (DPAK)

This transistor is suitable for applications requiring high-speed switching and amplification.

Medium Power Transistor (32V, 1A) The part 2SD1664T100Q is a transistor manufactured by ROHM. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, primarily designed for use in high-speed switching and amplification applications. The key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 160V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 160V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1.5A
- Collector Dissipation (PC): 1W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Transition Frequency (fT): 120MHz
- Package: TO-252 (DPAK)

These specifications make it suitable for various electronic applications requiring reliable performance in high-voltage environments.

Medium Power Transistor (32V, 1A) The part 2SD1664T100Q is a transistor manufactured by SANYO. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 100V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Power Dissipation (PC):** 30W
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Package:** TO-220F (isolated type)

This transistor is suitable for applications requiring high-speed performance and medium power handling.

Medium Power Transistor (32V, 1A) The part 2SD1664T100Q is a transistor manufactured by ROHM. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 100V
- **Collector Current (Ic)**: 2A
- **Power Dissipation (Pd)**: 20W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to 150°C
- **Mounting Type**: Through Hole
- **Applications**: General-purpose amplification and switching

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the specific conditions outlined therein.