Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor) High Current Switching Applications The part 2SD1662 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
2. **Package**: TO-220F (fully molded plastic package)
3. **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
4. **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
5. **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
6. **Collector Current (Ic)**: 3A
7. **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
9. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
10. **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Ic = 0.5A, Vce = 2V)
11. **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (typical)
12. **Applications**: General-purpose amplification and switching.

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 2SD1662 transistor.