NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High Current Switching Applications The 2SD1624 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Sanyo. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 60MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1624 transistor as provided by Sanyo.

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High Current Switching Applications The 2SD1624 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 15A
- **Collector Dissipation (PC)**: 100W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 1A, VCE = 10V)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD1624 transistor.

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High Current Switching Applications The part 2SD1624 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Mitsubishi. Its key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 60MHz (at IC = 0.5A, VCE = 10V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.