NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications The 2SD1623 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 160V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 30MHz

These specifications are based on the information provided by ROHM for the 2SD1623 transistor.

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications The 2SD1623 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Mitsubishi. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at Ic = 0.5A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz (min)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1623 transistor as provided by Mitsubishi.