LF Amplifier, Electronic Governor Applications The part 2SD1619 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SAYNO. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications of the 2SD1619 transistor include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 0.9W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature Range (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SD1619 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.

LF Amplifier, Electronic Governor Applications The 2SD1619 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Sanyo. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications of the 2SD1619 transistor are as follows:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at Ic = 0.5A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (at Ic = 0.5A, Vce = 5V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are intended for reference in electronic circuit design and analysis.

LF Amplifier, Electronic Governor Applications The 2SD1619 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1619 transistor and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.