NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR The 2SD1616A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by UTC (Unisonic Technologies). It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (min)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1616A transistor and are subject to standard manufacturing variations.