NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR The 2SD1616 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Collector Capacitance (Cob)**: 30pF (at VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz)

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SD1616 transistor.