Driver and output stages of audio frequency amplifiers The 2SD1513 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.5V (max) (at IC = 1.5A, IB = 0.15A)

The transistor is packaged in a TO-220AB package, which is suitable for through-hole mounting. It is commonly used in power amplification and switching circuits.