TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE The 2SD1506 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 15A
- **Collector Dissipation (PC)**: 30W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 1A, VCE = 5V)
- **Applications**: Designed for use in general-purpose amplification and switching applications.

These specifications are based on ROHM's datasheet for the 2SD1506 transistor.

TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE The 2SD1506 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 1500V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 7V
- **Collector Current (IC):** 5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 50W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 8 to 40 (at VCE=5V, IC=2A)
- **Transition Frequency (fT):** 4MHz (at VCE=5V, IC=2A, f=1MHz)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 1.5V (max) (at IC=2A, IB=0.4A)

The transistor is packaged in a TO-3P(N) package.