Silicon NPN Power Transistors The 2SD1505 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications and features a high current capability. The key specifications for the 2SD1505 transistor are as follows:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150 V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5 V
- **Collector Current (IC):** 5 A
- **Total Power Dissipation (PT):** 25 W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT):** 30 MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and test environments specified therein.

Silicon NPN Power Transistors The **2SD1505** is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for applications requiring robust performance in switching and amplification circuits. With a collector-emitter voltage (V_CE) of 150V and a collector current (I_C) rating of 15A, this component is well-suited for power supply systems, motor control, and audio amplifiers.  

Featuring a low collector-emitter saturation voltage, the 2SD1505 ensures efficient operation with minimal power loss, making it ideal for high-current applications. Its high current gain (h_FE) and fast switching characteristics enhance performance in demanding environments.  

The transistor is housed in a TO-3P package, providing excellent thermal dissipation and mechanical durability. Proper heat sinking is recommended to maintain optimal performance under heavy loads. Engineers often select the 2SD1505 for its reliability in industrial and automotive electronics, where consistent power handling is critical.  

When integrating the 2SD1505 into a circuit, designers should adhere to specified operating conditions, including maximum ratings for voltage, current, and temperature, to ensure longevity and stability. Its robust construction and electrical characteristics make it a dependable choice for high-power electronic designs.