Silicon NPN Epitaxial The 2SD1489 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by various companies, including Toshiba. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications for the 2SD1489 transistor are as follows:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 900mW
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = 5V, IC = 500mA)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (at VCE = 10V, IC = 500mA, f = 100MHz)

These specifications are typical for the 2SD1489 transistor and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet provided by the manufacturer for precise details.