Silicon NPN Epitaxial, Darlington The part 2SD1472 is a transistor manufactured by HITACHI. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, primarily used for high-speed switching and amplification in electronic circuits. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (fT):** 120MHz

The transistor is typically packaged in a TO-92 package.

Silicon NPN Epitaxial, Darlington The part 2SD1472 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by HITACHI. Its specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 120MHz

These specifications are typical for the 2SD1472 transistor as provided by HITACHI.