Small-signal device The 2SD1458 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 150V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 150V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1.5A
- Collector Dissipation (PC): 20W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to +150°C
- DC Current Gain (hFE): 40 to 320
- Transition Frequency (fT): 80MHz

The transistor is available in a TO-220 package.

Small-signal device The 2SD1458 is a silicon NPN transistor manufactured by Mitsubishi Electric Corporation (MAI). Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Power Dissipation (Pc):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320

This transistor is typically used in general-purpose amplification and switching applications.